In dieser Arbeit wird ein Energiefilter für die Ionenimplantation vorgestellt. Dieser kann vorteilhaft für die Herstellung von SiC-Leistungsdioden verwendet werden, welche z.B. in Solarkonvertern eingesetzt werden. Der Filter besteht aus einer mikrostrukturierten Si-Membran. Die Funktion des Filters basiert auf der gezielten Manipulation des Implantationsprofiles monoenergetischer Ionenstrahlen. Das entwickelte Herstellungsverfahren erlaubt die Realisierung einer großen Filterfläche bei kleiner Dicke des Filters. Dies sorgt für eine hohe Effizienz bei der Implantation. Die laterale Homogenität bei der Implantation wird nachgewiesen – ebenso wie die Möglichkeit der lithografischen Abbildung der Mikrostruktur. Das entstandene Implantationsprofil wird gemessen und damit die Funktionalität des Filters nachgewiesen.