Paramagnetic Mn-implanted amorphous Si

in: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms (2009)
Xu, Qingyu; Zhou, Shengqiang; Schmidt, Bernd; Mücklich, Arndt; Schmidt, Heidemarie
Different fluences of Mn ions have been implanted into 200 nm thick, n-type conducting amorphous Si films on a cold stage cooled by liquid N2 with a Mn concentration in MnxSi1-x ranging from x = 0.0006 to 0.088. Magnetic measurements reveal paramagnetism in all the films at temperatures down to 2 K. The field dependent magnetization curves were well fitted by Brillouin functions, indicating that the magnetically active Mn ions are on Mn2þ I interstitial sites with J = 5/2. Only a small percentage of the implanted Mn ions contributes to the magnetization, indicating that the magnetic moments are quenched for most of the Mn ions, which was attributed to the nonuniform distribution of Mn ions in amorphous Si. Positive magnetoresistance due to ordinary magnetoresistance was observed at 5 K in the highest fluence Mn-implanted amorphous Si film, indicating the lack of magnetic scattering of the conducting electrons by the implanted Mn2+ ions.

Cookies & Skripte von Drittanbietern

Diese Website verwendet Cookies. Für eine optimale Performance, eine reibungslose Verwendung sozialer Medien und aus Werbezwecken empfiehlt es sich, der Verwendung von Cookies & Skripten durch Drittanbieter zuzustimmen. Dafür werden möglicherweise Informationen zu Ihrer Verwendung der Website von Drittanbietern für soziale Medien, Werbung und Analysen weitergegeben.
Weitere Informationen finden Sie unter Datenschutz und im Impressum.
Welchen Cookies & Skripten und der damit verbundenen Verarbeitung Ihrer persönlichen Daten stimmen Sie zu?

Sie können Ihre Einstellungen jederzeit unter Datenschutz ändern.