Die inhärenten Vorteile von nanostrukturierten Materialien kann durch die Kombination zweier Phasen mit unterschiedlichen Eigenschaften verbessert werden. Im Rahmen des vorgeschlagenen bilateralen Forschungsprojekts GER-RUS werden wir Nanokomposite auf Zinn(Sn)-Basis entwickeln. Die funktionale auf Sn-Basis Nanostrukturen, die in eine SiNWs-Matrix eingebettet sind, haben einige Vorteile und bieten aufgrund ihrer chemischen und mechanischen Stabilität, ihrer kostengünstigen Herstellung und verbesserten optischen und katalytischen Eigenschaften, attraktive öglichkeiten. In diesem Zusammenhang wird der angestrebte
wissenschaftliche Durchbruch des vorgeschlagenen Projekts das Zur Erzeugung Sn-basierter Oberflächen wird die Gasphasenabscheidung unter Verwendung von Zinn(II)- und Zinn(IV)-Alkoxidpräkursoren und metallischem Zinn-Magnetron-Sputtern angewendet. Die Ergebnisse werden durch die theoretische Modellierung der Wachstumsprozesse und der plasmonischen Eigenschaften ergänzt. Auf diese Weise kann ein optimiertes Verfahren für Sn/SnOx nanostrukturierte Oberflächen entwickelt und etabliert werden. Eine genaue und detaillierte Analyse der atomaren und elektronischen Struktur sowie des physikalisch-chemischen Zustandes der gebildeten Strukturen, wird unter Verwendung der folgende oberflächenempfindlichen analytischen Methoden erreicht werden: XANES (X-ray Absorption Near Edge Structure), XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) and PEEM (Photo Emission Electron Microscopy) unter Verwendung von Großgeräten am BESSY II und am Nationalen Forschungszentrum „Kurchatov-Institut“. Zusätzlich wird die USXES (Ultrasoft X-ray emission spectroscopy) angewendet, um die Silizium Matrizen mit einer einzigartigen zerstörungsfreien Tiefenprofilierung zu charakterisieren. Alle Methoden werden in oberflächen- und bulk-empfindlichen Modi eingesetzt und durch Computermodellierung und elektronischen Struktur-ab-initio- Berechnungen der wichtigsten möglichen Phasen ergänzt. 

Das Projekt wird gefördert durch DFG-Inten.bilat.Koop unter der Nummer DE 2852/1-1; AOBJ: 674302.