Das Projekt investiert in eine moderne Atomlagenbeschichtungstechnologie (ALD) für die Herstellung von dielektrischen, halbleitenden und leitfähigen Dünnschichten. Die Technologie erlaubt eine exakte Kontrolle der Schichtdicken im Subnanometerbereich und steigert damit die Präzision von Materialeigenschaften erheblich.

Durch die Kombination mit einer BIAS-Technologie lassen sich optische und elektrische Eigenschaften der Dünnschichten gezielt einstellen. Somit ist es möglich, auf verschiedenste Anforderungen einzugehen und die Materialeigenschaft exakt an die vorgesehenen Designvorgaben anzupassen.

Ein entscheidender Vorteil der Technologie liegt in der Beschleunigung der Prozessentwicklung. Die präzise Schichtkontrolle und automatisierte Abläufe ermöglichen theoretisch eine Reduktion der Entwicklungszeiten um den Faktor 100. Dies eröffnet neue Möglichkeiten für Forschung und industrielle Anwendungen, bei denen Materialqualität und Effizienz gleichermaßen wichtig sind.

Das Vorhaben wird vom Freistaat Thüringen unter der Nummer 2025 FGI 0024 gefördert und durch Mittel der Europäischen Union im Rahmen des Europäischen Fonds für regionale Entwicklung (EFRE) kofinanziert.

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Kofinanziert von der EU