Carrier Mobility in Semiconductors at Very Low Temperatures †

in: Engineering Proceedings (2021)
Tobehn-Steinhäuser, Ingo; Reiche, Manfred; Schmelz, Matthias; Stolz, Ronny; Fröhlich, Thomas; Ortlepp, Thomas
Carrier mobilities and concentrations were measured for different p- and n-type silicon materials in the temperature range 0.3–300 K. Simulations show that experimentally determined carrier mobilities are best described in this temperature range by Klaassen’s model. Freeze-out reduces the carrier concentration with decreasing temperature. Freeze-out, however, depends on the dopant type and initial concentration. Semi-classical calculations are useful only for temperatures above 100 K. Otherwise quantum mechanical calculations are required.

Cookies & Skripte von Drittanbietern

Diese Website verwendet Cookies. Für eine optimale Performance, eine reibungslose Verwendung sozialer Medien und aus Werbezwecken empfiehlt es sich, der Verwendung von Cookies & Skripten durch Drittanbieter zuzustimmen. Dafür werden möglicherweise Informationen zu Ihrer Verwendung der Website von Drittanbietern für soziale Medien, Werbung und Analysen weitergegeben.
Weitere Informationen finden Sie unter Datenschutz und im Impressum.
Welchen Cookies & Skripten und der damit verbundenen Verarbeitung Ihrer persönlichen Daten stimmen Sie zu?

Sie können Ihre Einstellungen jederzeit unter Datenschutz ändern.