Cryogenic ultra-low noise SiGe transitor amplifier

in: Review of Scientific Instruments (2011)
Ivanov, Boris; Trgala, Marian; Grajcar, Miroslav; Ilichev, Evgeni; Meyer, Hans-Georg
An ultra-low-noise one-stage SiGe heterojunction bipolar transistor amplifier was designed for cryogenic temperatures and a frequency range of 10 kHz-100 MHz. A noise temperature T N ≈ 1.4 K was measured at an ambient temperature of 4.2 K at frequencies between 100 kHz and 100 MHz for a source resistance of ∼ 50 Ω. The voltage gain of the amplifier was 25 dB at a power consumption of 720 µW. The input voltage noise spectral density of the amplifier is about 35 pV/ √ Hz. The low noise resistance and power consumption makes the amplifier suitable for readout of resistively shunted DC SQUID magnetometers and amplifiers.

Cookies & Skripte von Drittanbietern

Diese Website verwendet Cookies. Für eine optimale Performance, eine reibungslose Verwendung sozialer Medien und aus Werbezwecken empfiehlt es sich, der Verwendung von Cookies & Skripten durch Drittanbieter zuzustimmen. Dafür werden möglicherweise Informationen zu Ihrer Verwendung der Website von Drittanbietern für soziale Medien, Werbung und Analysen weitergegeben.
Weitere Informationen finden Sie unter Datenschutz und im Impressum.
Welchen Cookies & Skripten und der damit verbundenen Verarbeitung Ihrer persönlichen Daten stimmen Sie zu?

Sie können Ihre Einstellungen jederzeit unter Datenschutz ändern.