Axial p-n Junctions Realized in Silicon Nanowires by Ion Implantation

in: Nano Letters (2009)
Hoffmann, S.; Bauer, Jan; Ronning, Carsten; Michler, Johann; Ballif, Christophe; Sivakov, Vladimir; Christiansen, Silke; Stelzner, Thomas
The electrical properties of vertically aligned silicon nanowires doped by ion implantation are studied in this paper by a combination of electron beam-induced current imaging and two terminal current-voltage measurements. By varying the implantation parameters in several process steps, uniform p- and n-doping profiles as well as p-n junctions along the nanowire axis are realized. The effective doping is demonstrated by electron beam-induced current imaging on single nanowires, and current-voltage measurements show their well-defined rectifying behavior.

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